您现在的位置:资料分享网 >> 大学资料 >> 考研资料 >> 专业课程>> 内容正文
同城学校
按学校搜索
      
三峡大学2007年电子技术基础考研试卷
  • 资料大小: 32.99 KB
  • 浏览次数:
  • 资料版本: 通用版
  • 资料语言: 简体中文
  • 资料评级: ★★★
  • 下载次数:
  • 本月下载:
  • 资料区域: 湖北
  • 资料授权: 免费
  • 解压密码: www.ppkao.com
  • 运行平台: 不限
  • 更新时间: 2008年08月01日
  • 本周下载:
资料简介
一、填空(本题30分)
1. 温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO要变大,电流放大系数β变 ,发射结电压VBE变 。
2. 差动放大电路的两输入端信号分别是ui1=100.5mV,ui2=99.5mV,则差模输入信号和共模输入信号分别是 。
3. 场效应管的符号如图1所示,该管是 沟道的 型MOSFET。
4. 用示波器观察NPN管共射单级放大器输出电压,出现图2所示波形,说明信号产生了 失真,为消除失真,应使静态工作点 。
5. 一深度负反馈放大器,其开环增益为AV,反馈系数为FV,则ROF = ,ΔAVF/AVF = 。

二、(本题15分)
图3所示放大电路, 设VCC=15V,
Rb1=22KΩ, Rb2=10KΩ, Re1=0.5KΩ,Re2=1.5KΩ,RC=3KΩ,Ube=0.7V,β=60,求:
(1) 电路的静态工作点 IC,UCE;
(2) 电压放大倍数AV,输入电阻ri,输出电阻ro。

信息来源:资料分享平台
所属标签: 三峡大学 湖北  了解 三峡大学>>>